
ชิปหน่วยความจำหนาแค่ 10 อะตอม ปูทางสู่ความจุมหาศาลในอนาคต
วงการเทคโนโลยีต้องหันมามอง เมื่อทีมนักวิจัยจาก Fudan University ในเซี่ยงไฮ้ นำโดย Chunsen Liu ได้ทดลองสร้างชิปหน่วยความจำที่บางเฉียบระดับ 10 อะตอมได้สำเร็จ ซึ่งถือเป็นก้าวสำคัญที่อาจจะเปลี่ยนโฉมความจุของสมาร์ทโฟนและอุปกรณ์อื่น ๆ ไปเลยทีเดียว ทุกวันนี้ ชิปคอมพิวเตอร์อัดแน่นไปด้วยทรานซิสเตอร์นับหมื่นล้านตัวในพื้นที่เล็กจิ๋ว แต่ความหนาของแผ่น Silicon Wafer (แผ่นซิลิคอนที่ใช้ผลิตชิป) ยังคงเป็นข้อจำกัด ทำให้การซ้อนชั้นชิปเพื่อเพิ่มความซับซ้อนทำได้ไม่เต็มที่ ที่ผ่านมา...


-cropped-1759926445808.webp?w=1200&q=75)









-cropped-1759872962156.png?w=1200&q=75)