Samsung โชว์เหนือ พัฒนา NAND Flash แบบใหม่ ประหยัดไฟ 96% ตอบโจทย์ยุค AI

ในยุคที่ AI กำลังครองเมือง สิ่งที่ตามมาอย่างหลีกเลี่ยงไม่ได้คือความต้องการทรัพยากรในการประมวลผลและจัดเก็บข้อมูลที่พุ่งสูงขึ้นแบบก้าวกระโดด ล่าสุด Samsung ยักษ์ใหญ่แห่งวงการหน่วยความจำจากเกาหลีใต้ ได้สร้างความฮือฮาอีกครั้งด้วยการประกาศความสำเร็จในการพัฒนาเทคโนโลยี NAND Flash รูปแบบใหม่ ที่เคลมว่าสามารถลดการใช้พลังงานลงได้ถึง 96% ซึ่งถือเป็นตัวเลขที่น่าทึ่งและเป็นสิ่งที่วงการกำลังโหยหา

ความสำเร็จครั้งนี้ถูกตีพิมพ์ลงในวารสารวิชาการระดับโลกอย่าง 'Nature' โดยเป็นผลงานร่วมของนักวิจัยกว่า 34 ชีวิต หัวใจสำคัญของเทคโนโลยีนี้คือการนำ Ferroelectric Transistors (ทรานซิสเตอร์เฟอร์โรอิเล็กทริก) มาใช้งานร่วมกับ Oxide Semiconductors ซึ่งเดิมทีวัสดุประเภทนี้มักจะมีปัญหาเรื่องแรงดันไฟฟ้าที่สูงเกินไปจนไม่เหมาะกับชิปประสิทธิภาพสูง แต่นักวิจัยกลับพลิกวิกฤตเป็นโอกาส ใช้นำมาเป็นตัวช่วยควบคุมกระแสไฟแทน

ปัญหาคลาสสิกของ NAND Flash แบบเดิมคือ ยิ่งเราต้องการความจุเยอะ ๆ ก็ต้องเพิ่มจำนวนชั้น (Layer) และจำนวนเซลล์เก็บข้อมูลให้มากขึ้น ซึ่งสิ่งที่ตามมาคือการกินไฟที่ดุเดือดและการรั่วไหลของกระแสไฟ (Leakage Current) แม้ในขณะที่ไม่ได้ใช้งาน แต่เทคโนโลยีใหม่นี้สามารถบล็อกกระแสไฟที่ต่ำกว่าเกณฑ์ที่กำหนดไว้ได้ ทำให้จัดการเรื่องไฟรั่วได้อย่างอยู่หมัด ส่งผลให้ประสิทธิภาพการใช้พลังงานดีขึ้นแบบผิดหูผิดตา

ที่น่าสนใจคือ แม้รายงานจะยังไม่ได้ระบุชัดเจนว่าเราจะได้เห็นเทคโนโลยีนี้ในสินค้าวางขายจริง (Commercialized) เมื่อไหร่ แต่ถ้าทำสำเร็จและเข้าสู่กระบวนการผลิตจำนวนมากได้จริง วงการสมาร์ทโฟนและ Data Center ที่ต้องรันโมเดล AI หนัก ๆ จะได้รับอานิสงส์ไปเต็ม ๆ เพราะนอกจากจะทำงานเร็วแล้ว ยังช่วยเซฟแบตเตอรี่และลดความร้อนได้มหาศาล

ตอนนี้คงทำได้แค่ร้องเพลงรอและหวังว่า Samsung จะเข็นเทคโนโลยีนี้ออกมาทันใช้ในยุค UFS 5.0 หรือรุ่นถัดไป โดยไม่มีปัญหาทางเทคนิคมาขัดขาให้ต้องเลื่อนยาว ๆ ไปเสียก่อน